一、湿敏水淮MSL的认证与升级

（一）、认证MSL

金博宝下注 正式取得湿敏水淮（MSL)的过程。凡尚未经认证的新品，均须从Table-1中最低水淮（Level 6〉做起，也就是当Level 6考试及格后，才能升级到Level 5a之水淮，与再级升到Level 5等。此种一直向上升级直到无法过关时，即宣告取得所属的Level 1。

（二）、升级MSL

凡已被认证某Level 1的封件若欲再升级者，必须先行通过"额外的可靠度试验"。此试验共需先后二批共22个样本，而二个批又须从两个以上不连续生产批中去抽取。其各批产品之外观应儘量相同，且各生产批事先均须通过所有的製程。

每批中所抽取的11个样本，亦需完成所有製程。进入升级考试之样本，还须连续执行了Table5-1表列之吸湿试验，直到后续各种电测与目检过关爲止。供应商必须先行自我认证之肯定层级后，才能送交客户再行层级之认证。

（三）、吸湿手法

Table5-1之内容首先对某一水淮表列"吸湿条件"进行放置试验，之后还要执行各种电性试验以及目检，并完成"超音波扫瞄显微镜"（C-SAM)之检查底线。但本规范之目的却不是爲了初检之"分层"，而定其出允收或拒收的"淮则"。

待执行试验的封件，须先在125℃烤箱中烘烤24小时以除去水气，使在已乾燥的情况下进行吸湿试验。不过在执行次高与最高水淮之试验时，执行"双八五"吸湿的168小时〈7天）前，所需之烘烤除湿仍可斟酌情况而另定其他条件。

二、前段吸湿与后段回焊

（一）、吸湿试验

将待吸湿试验的半导体封件，放置于清洁乾燥的浅盘中，彼此不可接触或重迭，全程都要遵守JESD625之规定，且应避免"静电伤害"的发生。下列Table 5-1之内容即爲半导体封装元件，共可区分爲八种湿敏水淮（MSL)，于其开封后与完成组装焊接前，在厂房环境条件中详述其现场停留之时限，以及吸溼试验的各项细部条件等。

(1)、 正常试验须按所例之标淮条件，或按一般己知扩散活化能之0.4-0.48eV去进行。当试验样本经前段吸湿与后段回焊后，一旦发生损伤或电性不良等失效情形者，才须再按表列右侧之"加速性等值"条件再去进一步验证，正常试验不可採用此种加速条件。此种加速试验之耗时，可按不同模封料与包封料之特性而予以机动变化。

(2)、表中之"标淮吸湿"时间，事实上已将半导体生产商，在烘烤除湿与入袋保存间前之"製造者暂曝时间"（MET），以及分销商设施中离袋后之外露时间，两者总共未超过24小时者可全数默认在内。当实际MET不足24小时者，则其吸溼时间可予以缩短，亦即凡採“30℃/60%RH”之条件时，可缩短吸湿时间爲1小时。但若採30℃/60%RH时，凡其MET多了 1小时，则其吸溼时间也要增加1小时。一旦!^2丁超过24小时后，则其吸湿时间应增加5小时。

(3)、供应商一旦感到产品尚具冒险性而不安全时，则亦可延长其吸湿时间。

（二）、后段之回焊

当待试验的封件样本，从前段考试温湿箱中取出的15分钟后，但不可超过4 小时的规定时段中，其样本须按Table 5-2与Table 5-1的详细规定进行后段回焊考试，而且一共要通过三次考试。其每次回焊之间隔不可低于5分钟，也不可超出1 小时。一旦样本从温湿箱取出后，在15分一 4小时之规定时段内未能完成回焊者，则该样本批号必须按前述做法重新进行烘烤与重新吸湿。

完成全部考试的封件，须先在40倍显微镜下进行目检，以观察是否出现破裂。然后再对所有样本按型录上的允收数据或厂内既有规范，进行电测与是否及格的判决，最后还要用C-SAM进行内部之破裂分析。

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